BD136-10、TIP142T、BUV28对比区别

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型号 BD136-10 TIP142T BUV28

描述 PNP Epitaxial Silicon TransistorNPN 复合晶体管，STMicroelectronics### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。NPN开关晶体管 NPN SWITCHING TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-220-3 TO-220

额定功率 - - 65 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 90000 mW 85000 mW

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 10.0 A -

极性 - NPN -

耗散功率 - 90 W -

集电极击穿电压 - 100 V -

击穿电压(集电极-发射极) - 100 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 500 -

额定功率(Max) - 80 W -

直流电流增益(hFE) - 1000 -

封装 - TO-220-3 TO-220

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -