锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IDH04G65C5、IDH04S60CAKSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDH04G65C5 IDH04S60CAKSA1

描述 INFINEON  IDH04G65C5  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220IDH04S60C 系列 600 V 4 A 第2代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-220-2

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2

正向电压 1.7V @4A 1.9V @4A

耗散功率 48 W -

热阻 3.1℃/W (RθJC) -

反向恢复时间 0 ns 0 ns

正向电流 4 A 4000 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 38 A -

正向电压(Max) 2.1 V -

正向电流(Max) 4 A 4000 mA

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 175 ℃ -

耗散功率(Max) 48000 mW 42000 mW

长度 10.2 mm -

宽度 4.5 mm -

高度 15.95 mm -

封装 TO-220-2 TO-220-2

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 -