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CY7C1019CV33-10ZI、K6R1008V1D-TI10、K6R1008V1B-TI10对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1019CV33-10ZI K6R1008V1D-TI10 K6R1008V1B-TI10

描述 128K ×8静态RAM 128K x 8 Static RAM64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Samsung (三星) Samsung (三星)

分类

基础参数对比

封装 TSOP-2 TSOP-2 TSOP-2

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 32 -

封装 TSOP-2 TSOP-2 TSOP-2

长度 - 20.95 mm -

宽度 - 10.16 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -