NST489AMT1、NST489AMT1G对比区别

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型号 NST489AMT1 NST489AMT1G

描述 高电流表面贴装NPN硅低VCE （ sat）的开关晶体管，用于便携式应用负荷管理 High Current Surface Mount NPN Silicon Low VCE(sat) Switching Transistor for Load Management in Portable ApplicationsPNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6

封装 SOT-23-6 SOT-23-6

频率 - 300 MHz

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V

额定电流 2.00 A 2.00 A

无卤素状态 - Halogen Free

极性 NPN NPN

耗散功率 535 mW 535 mW

集电极击穿电压 - 50.0 V

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V

集电极最大允许电流 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 300 @500mA, 5V 300 @500mA, 5V

额定功率(Max) 535 mW 535 mW

直流电流增益(hFE) - 900

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1180 mW

增益频宽积 300 MHz -

长度 3 mm 3.1 mm

宽度 1.5 mm 1.7 mm

高度 0.94 mm 1 mm

封装 SOT-23-6 SOT-23-6

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99