IRFP4227PBF、STW90NF20、STW52NK25Z对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFP4227PBF STW90NF20 STW52NK25Z

描述 N沟道,200V,65A,25mΩ@10VN沟道200 V， 0.019 Ω ， 83 A， TO- 247低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 200 V, 0.019 Ω, 83 A, TO-247 low gate charge STripFET™ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STW52NK25Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.025 Ω 23 mΩ 0.033 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 330 W 300 W 300 W

产品系列 IRFP4227 - -

阈值电压 30 V - 3.75 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 65.0 A 83A 26.0 A

输入电容(Ciss) 4600pF @25V(Vds) 5736pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 330 W 300 W 300 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 55 ℃ -55 ℃

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 200 V 250 V

上升时间 - 138 ns 75 ns

下降时间 - 142 ns 55 ns

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300000 mW

额定电压(DC) - - 250 V

额定电流 - - 52.0 A

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm 15.75 mm

宽度 - 5.15 mm 5.15 mm

高度 - 20.15 mm 20.15 mm

工作温度 -40℃ ~ 175℃ -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -