BSC028N06LS3G、BSC100N06LS3G、BSC026N02KSG对比区别

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型号 BSC028N06LS3G BSC100N06LS3G BSC026N02KSG

描述 60V,100A,N沟道功率MOSFET,带逻辑电平OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor20V,100A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-TDSON-8 TDSON PowerTDFN-8

额定功率 139 W - -

通道数 1 - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 139W (Tc) - -

耗散功率 - 2.5 W 78.0 W

漏源极电压(Vds) - 60 V -

宽度 6.1 mm - -

封装 PG-TDSON-8 TDSON PowerTDFN-8

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC