IXFX120N30T、IXTK110N30、IXFK120N30T对比区别

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型号 IXFX120N30T IXTK110N30 IXFK120N30T

描述 PLUS N-CH 300V 120ATrans MOSFET N-CH 300V 110A 3Pin(3+Tab) TO-264AATO-264 N-CH 300V 120A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-264-3

通道数 1 - -

漏源极电阻 24 mΩ - -

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 960 W 730W (Tc) 960W (Tc)

阈值电压 5 V - 5 V

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

漏源击穿电压 300 V - -

连续漏极电流(Ids) 120A - 120A

上升时间 31 ns - -

输入电容(Ciss) 20000pF @25V(Vds) 7800pF @25V(Vds) 20000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 960 W - -

下降时间 23 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

耗散功率(Max) 960W (Tc) 730W (Tc) 960W (Tc)

长度 16.13 mm - -

宽度 5.21 mm - -

高度 21.34 mm - -

封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free