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BAT85.113、BAT85-T/R、BAT85,113对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAT85.113 BAT85-T/R BAT85,113

描述 NXP BAT85.113 Small Signal Schottky Diode, Single, 30V, 200mA, 400mV, 5A, 125℃VISHAY  BAT85-T/R  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 5 A, 150 °CNXP  BAT85,113  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 5 A, 125 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)

分类 肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Axial Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-34 DO-35 DO-204AG

额定电流 - 200 A -

针脚数 - 2 2

反向恢复时间 - 4 ns 4 ns

正向电流 200 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 5 A 5 A 5 A

正向电压(Max) 400 mV 800 mV 800 mV

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

工作结温(Max) - 125 ℃ -

正向电压 400 mV - 800mV @100mA

热阻 - - 320℃/W (RθJA)

正向电流(Max) - - 200 mA

工作结温 - - 125℃ (Max)

封装 DO-34 DO-35 DO-204AG

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 1.6 mm

高度 - - 1.6 mm

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 125℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Each Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - Active

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17