BCR35PN、PUMD9,115、PUMD9,165对比区别

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型号 BCR35PN PUMD9,115 PUMD9,165

描述 NPN / PNP硅数字晶体管阵列 NPN/PNP Silicon Digital Transistor ArrayNXP  PUMD9,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363TSSOP NPN+PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 SOT-363 TSSOP-6 TSSOP-6

针脚数 - 6 -

极性 NPN+PNP NPN, PNP NPN+PNP

耗散功率 - 200 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @5mA, 5V 100 @5mA, 5V

额定功率(Max) - 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 100 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - - 300 mW

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm 1 mm

封装 SOT-363 TSSOP-6 TSSOP-6

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 NLR NLR -