FDS8880、STS11NF30L、STS12NF30L对比区别

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型号 FDS8880 STS11NF30L STS12NF30L

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8880  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 30 V, 0.0079 ohm, 10 V, 2.5 VN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STS12NF30L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 11.6 A 11.0 A 12.0 A

通道数 - - 1

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.0079 Ω 0.0085 Ω 0.008 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 2.5 V 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±18.0 V ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 11.6 A 11.0 A 12.0 A

上升时间 27 ns 39 ns 90 ns

输入电容(Ciss) 1235pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 15 ns 16 ns 35 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 2500 mW

额定功率 - 2.5 W -

输入电容 1.23 nF - -

栅电荷 23.0 nC - -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.25 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -