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BZX55C68、BZX55C68-TR、TCBZX79C68TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55C68 BZX55C68-TR TCBZX79C68TR

描述 SILICON PLANAR ZENER DIODES500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorZener Diode, 68V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Good-Ark Electronics (固锝) Vishay Semiconductor (威世) TAK Cheong

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 - DO-35-2 DO-35

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 - DO-35-2 DO-35

长度 - 3.9 mm -

宽度 - 1.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

容差 - ±5 % -

击穿电压 - 72.0 V -

正向电压 - 1.5V @200mA -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 2.5 mA -

稳压值 - 68 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

耗散功率(Max) - 0.5 W -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -