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MPLAD30KP200A、MXLPLAD30KP200AE3、MXPLAD30KP200AE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPLAD30KP200A MXLPLAD30KP200AE3 MXPLAD30KP200AE3

描述 ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVSTVS 30kW UNIDIRECT PLADTVS DIODE 200V 322V PLAD

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMD SMD SMD

脉冲峰值功率 30000 W 30000 W 30000 W

最小反向击穿电压 222 V 222 V 222 V

封装 SMD SMD SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free