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BSO130P03S、BSO130P03SH对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO130P03S BSO130P03SH

描述 的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS-P Small-Signal-TransistorInfineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 DSO

引脚数 - 8

额定电压(DC) -30.0 V -

额定电流 -9.20 A -

极性 P-CH -

输入电容 3.52 nF -

栅电荷 81.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V -

连续漏极电流(Ids) 11.3 A -

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.36 W

封装 SOIC-8 DSO

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.65 mm

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free