GS8672T18BGE-250、UPD44644182AF5-E40-FQ1-A、CY7C1518KV18-250BZXC对比区别

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型号 GS8672T18BGE-250 UPD44644182AF5-E40-FQ1-A CY7C1518KV18-250BZXC

描述 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M4MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-16572兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 GSI Renesas Electronics (瑞萨电子) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

封装 BGA-165 LBGA FBGA-165

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 165

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

位数 - - 18

存取时间(Max) - - 0.45 ns

电源电压 - - 1.7V ~ 1.9V

封装 BGA-165 LBGA FBGA-165

高度 - - 0.89 mm

工作温度 0℃ ~ 85℃ - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Bulk - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free 无铅