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CXK5864BP-10LL、TC5565APL-10、HM6264BLP-10L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CXK5864BP-10LL TC5565APL-10 HM6264BLP-10L

描述 8,192-WORD X 8Bit HIGH SPEED CMOS STATIC RAM65,536Bit static random access memory organized as 8,192 words by 8Bits using CMOS technologySRAM Chip Async Single 5V 64Kbit 8K x 8 100ns 28Pin PDIP

数据手册 ---

制造商 SONY (索尼) Toshiba (东芝) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - - Through Hole

封装 DIP DIP DIP

电源电压 - - 5 V

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant