GT10J312、IRG4PC50UDPBF、HGTP20N60A4对比区别

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型号 GT10J312 IRG4PC50UDPBF HGTP20N60A4

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 60000mW 3Pin(3+Tab) TO-220FLINFINEON  IRG4PC50UDPBF  单晶体管, IGBT, 55 A, 2 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 In-Line TO-247-3 TO-220-3

封装 In-Line TO-247-3 TO-220-3

长度 - 15.87 mm -

宽度 - 5.31 mm -

高度 - 20.7 mm -

产品生命周期 End of Life Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

耗散功率 - 200 W 290000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V

额定功率(Max) - 200 W 290 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200000 mW 290000 mW

额定功率 - 200 W -

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel -

输入电容 - 4000 pF -

上升时间 - 25.0 ns -

热阻 - 40 ℃/W -

反向恢复时间 - 50 ns -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99