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IRFP450、IRFP450APBF、STW14NK50Z对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP450 IRFP450APBF STW14NK50Z

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3Pin(3+Tab) TO-247AD功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STW14NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.34 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 14.0 A 14.0 A 14.0 A

漏源极电阻 400 mΩ 0.4 Ω 0.34 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 190 W 190 W 150 W

输入电容 2.80 nF 2.04 nF 2000 pF

栅电荷 150 nC 64.0 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A 14.0 A

上升时间 47.0 ns 36 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 2800pF @25V(Vds) 2038pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 190W (Tc) 190 W 150W (Tc)

额定功率 - - 150 W

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4 V 3.75 V

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

额定功率(Max) - 190 W 150 W

下降时间 - 29 ns 12 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.87 mm 15.75 mm

宽度 - 5.31 mm 5.15 mm

高度 - 20.7 mm 20.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Design Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR