PSMN0R9-25YLC,115、PSMN1R0-25YLDX、PSMN1R2-25YLC,115对比区别

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型号 PSMN0R9-25YLC,115 PSMN1R0-25YLDX PSMN1R2-25YLC,115

描述 Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN0R9-25YLC,115, 100 A, Vds=25 V, 4引脚 SOT-669封装晶体管, MOSFET, NextPowerS3, N沟道, 100 A, 25 V, 890 µohm, 10 V, 1.75 VNexperia Si N沟道 MOSFET PSMN1R2-25YLC,115, 100 A, Vds=25 V, 4引脚 SOT-669封装

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 5 4

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

针脚数 4 4 4

漏源极电阻 0.00075 Ω - 0.00105 Ω

耗散功率 272 W 160 W 179 W

阈值电压 1.41 V 1.75 V 1.45 V

输入电容 6775 pF 5308 pF 4173 pF

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

上升时间 74 ns 36 ns 42 ns

输入电容(Ciss) 6775pF @12V(Vds) 5308pF @12V(Vds) 4173pF @12V(Vds)

额定功率(Max) 272 W - 179 W

下降时间 55 ns 24.5 ns 29 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 272W (Tc) 160W (Tc) 179W (Tc)

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4.1 mm - 4.1 mm

高度 1.1 mm - 1.1 mm

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99 -