IRFS3307、IRFS3307ZPBF、FDB060AN08A0对比区别
型号 IRFS3307 IRFS3307ZPBF FDB060AN08A0
描述 D2PAK N-CH 75V 130A电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon### 电动机控制 MOSFETInfineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 75.0 V
额定电流 - - 80.0 A
漏源极电阻 - - 0.006 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 250W (Tc) 230W (Tc) 255 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 5.15 nF
栅电荷 - - 73.0 nC
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 - - 75.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 130A 120A 80.0 A
上升时间 - 64 ns 79 ns
输入电容(Ciss) 5150pF @50V(Vds) 4750pF @50V(Vds) 5150pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 255 W
下降时间 - 65 ns 38 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250W (Tc) 230W (Tc) 255 W
额定功率 - 230 W -
长度 - 6.73 mm 10.67 mm
宽度 - 6.22 mm 11.33 mm
高度 - 2.39 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99