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640A、BUK7C06-40AITE,118对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 640A BUK7C06-40AITE,118

描述 TRANSISTOR 75 A, 40 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-7, FET General Purpose PowerD2PAK N-CH 40V 155A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 7

封装 - TO-263-7

通道数 - 1

极性 - N-CH

耗散功率 - 272 W

漏源极电压(Vds) - 40 V

连续漏极电流(Ids) - 155A

上升时间 - 115 ns

输入电容(Ciss) - 4300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 272 W

下降时间 - 110 ns

耗散功率(Max) - 272W (Tc)

宽度 - 9.4 mm

封装 - TO-263-7

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free