锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

GBU6M、GBU6M-BP、KBU6M对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GBU6M GBU6M-BP KBU6M

描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4.2A, 1000V V(RRM), Silicon, 20.80 X 18MM, 3.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4GBU 1000V 6ADiode Rectifier Bridge Single 1kV 6A 4Pin Case KBU

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor Micro Commercial Components (美微科) GeneSiC Semiconductor

分类 二极管二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 4 4 4

封装 - SIP-4 SIP-4

额定电压(DC) - 1.00 kV -

额定电流 - 6.00 A -

电容 - 50.0 pF -

输出电流 - ≤6.00 A -

正向电压 1 V 1V @3A 1V @6A

最大反向电压(Vrrm) - 1000V -

正向电流 - 6 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 175 A 175 A 250 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -50 ℃ -55 ℃ -55 ℃

负载电流 6 A - -

反向恢复时间 1500 ns - -

长度 - 22.3 mm -

宽度 - 3.56 mm -

高度 - 18.8 mm -

封装 - SIP-4 SIP-4

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Box Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 8541100080