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BSP171P、P171、BSP171P L6327对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP171P P171 BSP171P L6327

描述 INFINEON  BSP171P  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.45 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, 1.5 VPower Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,INFINEON  BSP171P L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -60 V, 0.21 ohm, -10 V, -1.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 4 - 3

封装 SOT-223-4 - TO-261-4

针脚数 4 - 4

漏源极电阻 400 mΩ - 0.21 Ω

极性 P-Channel - P-Channel

耗散功率 1.8 W - 1.8 W

阈值电压 1.5 V - -

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

连续漏极电流(Ids) 1.45 A - 1.45 A

上升时间 25 ns - -

输入电容(Ciss) 365pF @25V(Vds) - 460pF @25V(Vds)

下降时间 87 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 1.8 W - -

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -1.90 A

输入电容 - - 460 pF

栅电荷 - - 1.60 nC

额定功率(Max) - - 1.8 W

长度 6.5 mm - -

宽度 3.5 mm - -

高度 1.6 mm - -

封装 SOT-223-4 - TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Unknown -

包装方式 Cut Tape (CT) - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17