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BUZ901、BUZ901P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUZ901 BUZ901P

描述 SEMELAB  BUZ901  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 200 V, 1.5 ohm, 1.5 VSEMELAB  BUZ901P  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 200 V, 1.5 ohm, 1.5 V

数据手册 --

制造商 Semelab Semelab

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 2 3

封装 TO-3 TO-247

针脚数 2 3

漏源极电阻 1.5 Ω 1.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 125 W

阈值电压 1.5 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 8.00 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃

封装 TO-3 TO-247

产品生命周期 Obsolete -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15