MGSF3454VT1、RTQ045N03TR、MGSF3454VT3对比区别

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型号 MGSF3454VT1 RTQ045N03TR MGSF3454VT3

描述 功率MOSFET4安培，30伏特N沟道TSOP-6这些微型表面贴装MOSFET的低RDS（ON）保证最小的功率损耗，节约能源，使这些设备的理想选择用于在小的电源管理电路。典型的应用是DC-DC转换器，电源管理在便携式..2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FETLow rDS(on) small-signal MOSFET tmos single N-channel field effect transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Motorola (摩托罗拉)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 TSOP TSOT-23-6 TSOP

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 - 4.50 A -

漏源极电阻 - 420 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 - 1.25 W -

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V -

漏源击穿电压 - 30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.20 A 4.50 A -

上升时间 - 31 ns -

输入电容(Ciss) - 540pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) - 1.25 W -

下降时间 - 30 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1.25W (Ta) -

封装 TSOP TSOT-23-6 TSOP

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -