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C4532X7R1E226M、C4532X7R1E226M250KC、CGA8P1X7R1E226M250KC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 C4532X7R1E226M C4532X7R1E226M250KC CGA8P1X7R1E226M250KC

描述 TDK  C4532X7R1E226M  多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 22 µF, ± 20%, X7R, 25 V, 1812 [4532 公制]TDK  C4532X7R1E226M250KC  多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 22 µF, ± 20%, X7R, 25 V, 1812 [4532 公制]TDK  CGA8P1X7R1E226M250KC  多层陶瓷电容器, 表面贴装, AEC-Q200 CGA系列, 22 µF, ± 20%, X7R, 25 V, 1812 [4532 公制]

数据手册 ---

制造商 TDK (东电化) TDK (东电化) TDK (东电化)

分类 陶瓷电容陶瓷电容陶瓷电容

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装(公制) 4532 4532 4832

封装 1812 1812 1812

引脚数 2 2 -

额定电压(DC) 25.0 V 25 V 25 V

电容 22 µF 22 µF 22 µF

容差 ±20 % ±20 % ±20 %

电介质特性 X7R X7R X7R

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压 25 V 25 V 25 V

长度 4.5 mm 4.5 mm 4.5 mm

宽度 3.2 mm 0.13 in 3.2 mm

高度 2.5 mm 2.5 mm 2.5 mm

封装(公制) 4532 4532 4832

封装 1812 1812 1812

厚度 - 2.5 mm -

材质 - X7R/-55℃~+125℃ X7R/-55℃~+125℃

工作温度 - -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

温度系数 - ±15 % ±15 %

介质材料 - Ceramic Multilayer -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

最小包装 - 500 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99