IRF640N、IRF640NPBF、IRF640对比区别

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型号 IRF640N IRF640NPBF IRF640

描述 TO-220AB N-CH 200V 18AINFINEON  IRF640NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 4 VN - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 200 V - 200 V

额定电流 18.0 A - 18.0 A

漏源极电阻 150 mΩ (max) 0.15 Ω 180 mΩ

极性 N-CH N-CH N-Channel

产品系列 IRF640N - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200V (min) 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18A 18.0 A

上升时间 19 ns 19 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 1160pF @25V(Vds) 1160pF @25V(Vds) 1560pF @25V(Vds)

下降时间 5.5 ns 5.5 ns 25 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 150000 mW 150W (Tc) 125W (Tc)

耗散功率 - 150 W 125W (Tc)

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

额定功率(Max) - 150 W 125 W

额定功率 - 150 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 1160 pF -

热阻 - 1℃/W (RθJC) -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 8.77 mm -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -