IRFS3307、IRFS3307TRLPBF、FDB060AN08A0对比区别

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型号 IRFS3307 IRFS3307TRLPBF FDB060AN08A0

描述 D2PAK N-CH 75V 130AD2PAK N-CH 75V 130APowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - - 75.0 V

额定电流 - - 80.0 A

漏源极电阻 - 5 mΩ 0.006 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 250W (Tc) 200 W 255 W

阈值电压 - 4 V 4 V

输入电容 - - 5.15 nF

栅电荷 - - 73.0 nC

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 - 75 V 75.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 130A 130A 80.0 A

上升时间 - 120 ns 79 ns

输入电容(Ciss) 5150pF @50V(Vds) 5150pF @50V(Vds) 5150pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 200 W 255 W

下降时间 - 63 ns 38 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250W (Tc) 200W (Tc) 255 W

通道数 - 1 -

长度 - 6.5 mm 10.67 mm

宽度 - 6.22 mm 11.33 mm

高度 - 2.3 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99