SSM6P35AFU,LF、UM6K31NTN对比区别

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型号 SSM6P35AFU,LF UM6K31NTN

描述 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDSUM6K31N 系列 60 V 250 mA 2.4 Ohm 硅 表面贴装 N-沟道 Mosfet - UMT6

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TSSOP-6 SC-70-6

引脚数 - 6

漏源极电压(Vds) 20 V 60 V

输入电容(Ciss) 42pF @10V(Vds) 15pF @25V(Vds)

针脚数 - 6

漏源极电阻 - 1.7 Ω

极性 - Dual N-Channel

耗散功率 - 0.15 W

阈值电压 - 2.3 V

连续漏极电流(Ids) - 0.25A

上升时间 - 5 ns

额定功率(Max) - 150 mW

下降时间 - 28 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 150 mW

封装 TSSOP-6 SC-70-6

长度 - 2.1 mm

宽度 - 1.35 mm

高度 - 0.9 mm

工作温度 150 ℃ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free