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HGTG18N120BND、IGW40T120、HGTG18N120BN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HGTG18N120BND IGW40T120 HGTG18N120BN

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG18N120BND  单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚INFINEON  IGW40T120  单晶体管, IGBT, 40 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚54A , 1200V ,不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 - 483 W 390 W

针脚数 3 3 -

耗散功率 390 W 270 W 390 W

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V 1200 V

额定功率(Max) 390 W 270 W 390 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 390 W 270 W 390000 mW

额定电压(DC) 1.20 kV - 1.20 kV

额定电流 54.0 A - 54.0 A

极性 N-Channel - -

上升时间 22.0 ns - -

反向恢复时间 75 ns - -

长度 15.87 mm 15.9 mm 15.87 mm

宽度 4.82 mm 5.3 mm 4.82 mm

高度 20.82 mm 20.95 mm 20.82 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99