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RSB5.6STE61、RSB5.6SMT2N对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RSB5.6STE61 RSB5.6SMT2N

描述 EMD 5.6V 150mWESD保护二极管

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 EMD-2 SOD-523

电容 - 50 pF

耗散功率 150 mW 150 mW

测试电流 1 mA 1 mA

稳压值 5.6 V 6.44 V

脉冲峰值功率 10 W 10 W

最小反向击穿电压 4.76 V 4.76 V

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW

长度 1.2 mm 1.2 mm

宽度 0.8 mm 0.8 mm

高度 0.6 mm 0.6 mm

封装 EMD-2 SOD-523

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99