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GWM120-0075P3-SL、GWM120-0075P3-SMD、GWM120-0075P3-BL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GWM120-0075P3-SL GWM120-0075P3-SMD GWM120-0075P3-BL

描述 ISOPLUS-DIL N-CH 75V 118ASMD N-CH 75V 118APower Field-Effect Transistor, 118A I(D), 75V, 0.0055ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SMD-17 ISOPLUS-DIL-17 -

通道数 - 6 -

漏源极电阻 - 5.5 mΩ -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V -

漏源击穿电压 - 75 V -

连续漏极电流(Ids) 118A 118A -

上升时间 - 80 ns -

下降时间 - 100 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 40 ℃ -

长度 - 37.5 mm -

宽度 - 25 mm -

高度 - 5 mm -

封装 SMD-17 ISOPLUS-DIL-17 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete End of Life

包装方式 Tube Box -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -