锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IXTY50N085T、IXTY55N075T、IXTP55N075T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTY50N085T IXTY55N075T IXTP55N075T

描述 Trans MOSFET N-CH 85V 50A 3Pin(2+Tab) TO-252AATO-252AA N-CH 75V 55ATrans MOSFET N-CH 75V 55A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3

耗散功率 130 W 130W (Tc) 130W (Tc)

漏源极电压(Vds) 85 V 75 V 75 V

输入电容(Ciss) 1460pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 130W (Tc) 130W (Tc) 130W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 23 mΩ - -

漏源击穿电压 85 V - -

上升时间 32 ns - -

下降时间 33 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

极性 - N-CH -

连续漏极电流(Ids) - 55A -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.38 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free