1N4100、JAN1N4100-1、1N4100D-1对比区别

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型号 1N4100 JAN1N4100-1 1N4100D-1

描述 低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODESDO-35 7.5V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-213AA-2 DO-35

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

测试电流 0.25 mA 0.25 mA -

稳压值 7.5 V 7.5 V 7.5 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率 0.5 W - 500 mW

长度 - 3.7 mm -

封装 DO-35 DO-213AA-2 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free -