SPB80N03S2-03、STB155N3H6、STB80NF03L-04T4对比区别

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型号 SPB80N03S2-03 STB155N3H6 STB80NF03L-04T4

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 80.0 A - 80.0 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - 0.0025 Ω 4.00 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 300W (Tc) 110 W 300 W

输入电容 7.02 nF - 5500 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 80.0 A

上升时间 - 90 ns 270 ns

输入电容(Ciss) 7020pF @25V(Vds) 3650pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W - 300 W

下降时间 - 20 ns 95 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 110W (Tc) 300W (Tc)

阈值电压 - 2 V -

栅电荷 150 nC - -

宽度 - 10.4 mm 9.35 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.75 mm -

高度 - 4.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -60℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -