NE5532DR2G、OP200GS、NE5532NG对比区别

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型号 NE5532DR2G OP200GS NE5532NG

描述 ON SEMICONDUCTOR  NE5532DR2G  运算放大器, 双路, 10 MHz, 2个放大器, 9 V/µs, ± 3V 至 ± 20V, WSOIC, 16 引脚双低失调，低功耗运算放大器 Dual Low Offset, Low Power Operational AmplifierON SEMICONDUCTOR  NE5532NG  芯片, 运算放大器, 10MHZ, 9V/uS, DIP-8

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ADI (亚德诺) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 16 16 8

封装 SOIC-16 SOIC-16 DIP-8

电源电压(DC) 22.0V (max) - -

无卤素状态 Halogen Free - -

供电电流 8 mA 570 µA 8 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 16 - 8

耗散功率 1.2 W - 1.2 W

共模抑制比 70 dB 110 dB 70 dB

带宽 10 MHz - 10 MHz

转换速率 9.00 V/μs 150 mV/μs 9.00 V/μs

增益频宽积 10 MHz 500 kHz 10 MHz

输入补偿电压 500 µV 80 µV 500 µV

输入偏置电流 200 nA 100 pA 200 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 10 MHz 500 kHz -

耗散功率(Max) 1200 mW - 1200 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 110 dB 70 dB

输入阻抗 - 125 GΩ -

长度 10.45 mm 10.5 mm -

宽度 7.6 mm 7.6 mm -

高度 2.4 mm 2.35 mm -

封装 SOIC-16 SOIC-16 DIP-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active End of Life Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

军工级 - Yes -

ECCN代码 EAR99 - EAR99