199D475X9050D1V1E3、199D475X9050D2V1E3、MCDT4R7K50-1-RH对比区别

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型号 199D475X9050D1V1E3 199D475X9050D2V1E3 MCDT4R7K50-1-RH

描述 VISHAY  199D475X9050D1V1E3  钽电容, 4.7uF, 50V, 径向引线CAP TANT 4.7uF 50V 10% RADIALMULTICOMP  MCDT4R7K50-1-RH  钽电容, 4.7uF 10%容差 50V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Multicomp

分类 钽电容电容钽电容

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 - - E

引脚间距 2.54 mm - 2.5 mm

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

电容 4.7 µF 4.70 µF 4.70 µF

等效串联电阻(ESR) - - 2.50 Ω

容差 ±10 % ±10 % ±10 %

产品系列 - - MCDT

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

额定电压 50 V 50 V -

高度 10.16 mm - 10.5 mm

直径 - - Φ7mm

封装 - - E

引脚间距 2.54 mm - 2.5 mm

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

包装方式 Each Bulk -