锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

6100-B、TC55257BPL-10L、IDT71256L100DB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6100-B TC55257BPL-10L IDT71256L100DB

描述 Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 100ns 28Pin PDIPCMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)

数据手册 ---

制造商 Motorola (摩托罗拉) Toshiba (东芝) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

引脚数 - 28 -

封装 DIP DIP DIP

长度 - 37 mm -

宽度 - 15.24 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

ECCN代码 - - 3A001