STP78N75F4、BUK7509-75A,127、IRFB3607PBF对比区别

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型号 STP78N75F4 BUK7509-75A,127 IRFB3607PBF

描述 N沟道 75V 78ATO-220AB N-CH 75V 75AN沟道,75V,80A,9mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - 3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 150 W 230 W 140 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 78A 75A 80.0 A

输入电容(Ciss) 5015pF @25V(Vds) 6760pF @25V(Vds) 3070pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 150 W 230 W 140 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150W (Tc) 230W (Tc) -

通道数 1 - -

阈值电压 4 V - -

上升时间 33 ns - -

下降时间 14 ns - -

产品系列 - - IRFB3607

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - -