DS1330WP-100-IND、DS1330WP-100+对比区别

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型号 DS1330WP-100-IND DS1330WP-100+

描述 Non-Volatile SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS,3.3V 256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

数据手册 --

制造商 Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片

安装方式 - Surface Mount

封装 - PowerCap-34

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 - 100 GHz

存取时间 - 100 ns

内存容量 - 256000 B

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

电源电压 - 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V

电源电压(Min) - 3 V

长度 - 23.5 mm

宽度 - 25.02 mm

高度 - 2.03 mm

封装 - PowerCap-34

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free