SPB80P06PG、SUP65P06-20、SPB80P06P对比区别
型号 SPB80P06PG SUP65P06-20 SPB80P06P
描述 60V,-80A,P沟道功率MOSFETP-Channel 60V (D-S), 175C MOSFETSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-263 TO-220 TO-263-3
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -80.0 A - -80.0 A
极性 P-Channel P-Channel P-CH
输入电容 5.03 nF - 5.03 nF
栅电荷 173 nC - 173 nC
漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A -65.0 A 80.0 A
上升时间 18 ns 40.0 ns -
输入电容(Ciss) 5033pF @25V(Vds) - 5033pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 340 W - 340 W
下降时间 30 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 340000 mW - 340W (Tc)
通道数 - - 1
耗散功率 - 250 W 340W (Tc)
阈值电压 - - 4 V
漏源极电阻 - 20.0 mΩ -
漏源击穿电压 - -60.0 V (min) -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
封装 TO-263 TO-220 TO-263-3
宽度 - - 9.25 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 Cut Tape (CT) - Cut Tape (CT)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free - Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - -