IRLL014NTR、IRLL014NTRPBF、IRLL014NPBF对比区别

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型号 IRLL014NTR IRLL014NTRPBF IRLL014NPBF

描述 SOT-223 N-CH 55V 2.8AINFINEON  IRLL014NTRPBF  晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRLL014NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

引脚数 - 4 3

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 2.00 A - -

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 1W (Ta) 2.1 W 2.1 W

产品系列 IRLL014N - -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 2.8A 2.8A

上升时间 4.90 ns 4.9 ns 4.9 ns

输入电容(Ciss) 230pF @25V(Vds) 230pF @25V(Vds) 230pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)

额定功率 - 2.1 W 2.1 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.14 Ω 0.14 Ω

阈值电压 - 2 V 2 V

输入电容 - 230 pF 230 pF

额定功率(Max) - 1 W 1 W

下降时间 - 2.9 ns 2.9 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

漏源击穿电压 - - 55 V

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

长度 - 6.7 mm 6.7 mm

宽度 - 3.7 mm 3.7 mm

高度 - 1.739 mm 1.7 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -