PXAC261212FC-V1-R250、THGBMHG6C1LBAIL对比区别

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型号 PXAC261212FC-V1-R250 THGBMHG6C1LBAIL

描述 Trans RF MOSFET N-CH 65V T/RFlash Card 8G-byte 3.3V Embedded MMC 153Pin WFBGA

数据手册 --

制造商 CREE (美国科锐) Toshiba (东芝)

分类 存储芯片

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 153

封装 H-37248-4 WFBGA-153

工作电压 - 2.7V ~ 3.6V

时钟频率 - 52 MHz

工作温度(Max) 225 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -25 ℃

电源电压 - 2.7V ~ 3.6V

频率 2.69 GHz -

输出功率 120 W -

增益 15 dB -

测试电流 280 mA -

额定电压 65 V -

封装 H-37248-4 WFBGA-153

工作温度 - -25℃ ~ 85℃

产品生命周期 - Active

包装方式 - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

ECCN代码 - 3A991

香港进出口证 - NLR