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IXGR48N60B3、IXGR48N60C3D1、IXGR48N60B3D1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGR48N60B3 IXGR48N60C3D1 IXGR48N60B3D1

描述 600V GenX3™ IGBTsTrans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

封装 ISOPLUS-247 ISOPLUS-247 ISOPLUS-247

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 ISOPLUS-247 ISOPLUS-247 ISOPLUS-247

长度 - 16.13 mm -

宽度 - 5.21 mm -

高度 - 21.34 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

耗散功率 - 125000 mW 150000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V

反向恢复时间 - 25 ns 100 ns

额定功率(Max) - 125 W 150 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 125000 mW 150000 mW

额定功率 - 125 W -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -