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70V3599S133BC8、IDT70V3599S133BCI、70V3599S133BFGI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V3599S133BC8 IDT70V3599S133BCI 70V3599S133BFGI

描述 静态随机存取存储器 128Kx36 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAMHIGH -SPEED 3.3V 128 / 64K ×36同步双端口静态RAM 3.3V或2.5V接口 HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEIC SRAM 4.5Mbit 133MHz 208FBGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 256 - 208

封装 CABGA-256 LBGA-256 CABGA-208

存取时间 25 ns - 25 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 40 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V - 3.15V ~ 3.45V

电源电压(Max) - - 3.45 V

电源电压(Min) - - 3.15 V

长度 17 mm - 15 mm

宽度 17 mm - 15 mm

高度 1.4 mm - 1.4 mm

封装 CABGA-256 LBGA-256 CABGA-208

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -