CY7C1513KV18-250BZXI、GS8662D18BD-250I、CY7C1513KV18-250BZI对比区别

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型号 CY7C1513KV18-250BZXI GS8662D18BD-250I CY7C1513KV18-250BZI

描述 72 - Mbit的QDR II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165Pin FBGA BulkCY7C1513V18 72 Mb (4 M x 18) 250 MHz 1.8 V QDR™-II 4-字突发 SRAM - FBGA-165

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA FBGA-165

供电电流 - - 500 mA

时钟频率 - - 250 MHz

位数 18 - 18

存取时间 0.45 ns - 0.45 ns

存取时间(Max) 0.45 ns - 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V - 1.9 V

电源电压(Min) 1.7 V - 1.7 V

高度 0.89 mm - 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA FBGA-165

长度 - 15 mm -

宽度 - 13 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 100℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 - Contains Lead

ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991.b.2.a