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S70GL02GS11FHI010、S70GL02GS12FHIV10、PC28F00BM29EWHA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 S70GL02GS11FHI010 S70GL02GS12FHIV10 PC28F00BM29EWHA

描述 串行 SPI NOR 闪存存储器,Cypress Semiconductor高性能 低引脚计数四路 SPI(串行外围设备接口) ### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。闪存, 并行NOR, 2 Gbit, 256M x 8位 / 128M x 16位, CFI, 并行, FBGA, 64 引脚NOR Flash Parallel 3V/3.3V 2Gbit 256M/128M x 8Bit/16Bit 100ns 64Pin BGA Tray

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Micron (镁光)

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 64 64 64

封装 FBGA-64 FBGA-64 BGA-64

针脚数 64 64 -

位数 8, 16 16 -

存取时间 110 ns 120 ns 100 ns

存取时间(Max) 110 ns 120 ns 100 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 1.65V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V -

供电电流 60 mA - 31 mA

电源电压(DC) 2.70V (min) - -

封装 FBGA-64 FBGA-64 BGA-64

高度 1 mm - 0.8 mm

长度 13 mm - -

宽度 11 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅