IRL2203NSPBF、IRL2203NSTRLPBF、IRL2203NS对比区别

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型号 IRL2203NSPBF IRL2203NSTRLPBF IRL2203NS

描述 INFINEON  IRL2203NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 3 V晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 VD2PAK N-CH 30V 116A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263

额定功率 170 W 170 W -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 7 mΩ 0.007 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 170 W 3.8 W 170 W

阈值电压 3 V 3 V -

输入电容 3290pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30.0 V

漏源击穿电压 30 V - 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 116A 116A 116 A

上升时间 160 ns 160 ns 160 ns

输入电容(Ciss) 3290pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds)

下降时间 66 ns 66 ns 66 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 3800 mW

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - 116 A 116 A

产品系列 - - IRL2203NS

额定功率(Max) - 3.8 W -

长度 10.67 mm 6.5 mm -

宽度 9.65 mm 6.22 mm -

高度 4.83 mm 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead