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IPP085N06LG、IPP80N06S2-08、SPP80N06S-08对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP085N06LG IPP80N06S2-08 SPP80N06S-08

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorSIPMOS㈢功率三极管 SIPMOS㈢ Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 60.0 V - 55.0 V

额定电流 80.0 A - 80.0 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 6.5 mΩ

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 - 215 W 300 W

阈值电压 - - 2.1 V

输入电容 3.50 nF - 3.66 nF

栅电荷 104 nC - 187 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 - - 55 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A 80.0 A

上升时间 - 15 ns 53 ns

输入电容(Ciss) 3500pF @30V(Vds) - 3660pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 188 W - 300 W

下降时间 - 14 ns 32 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - - 300000 mW

长度 - 10 mm 10 mm

宽度 - 4.4 mm 4.4 mm

高度 - 15.65 mm 15.65 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Obsolete Not Recommended Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -

ECCN代码 - EAR99 -