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IXFT69N30P、IXTT69N30P、IXFH69N30P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT69N30P IXTT69N30P IXFH69N30P

描述 Trans MOSFET N-CH 300V 69A 3Pin(2+Tab) TO-268TO-268 N-CH 300V 69AN 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-247-3

极性 - N-CH -

耗散功率 500 W 500W (Tc) 500W (Tc)

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) - 69A -

上升时间 25 ns 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 4960pF @25V(Vds) 4960pF @25V(Vds) 4960pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 500 W 500 W -

下降时间 27 ns 27 ns 27 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 49 mΩ - -

漏源击穿电压 300 V - -

封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-247-3

长度 - - 16.26 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 21.46 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free