MRF6S9160HSR3、MRFE6S9160HSR3对比区别

高亮显示差异参数

型号 MRF6S9160HSR3 MRFE6S9160HSR3

描述 MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780SRF Power Transistor,865 to 960MHz, 160W, Typ Gain in dB is 21 @ 880MHz, 28V, LDMOS, SOT1793

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 NI-780S NI-780S

频率 880 MHz 880 MHz

额定电流 10 µA 10 µA

无卤素状态 - Halogen Free

输出功率 35 W 35 W

增益 20.9 dB 21 dB

测试电流 1.2 A 1.2 A

工作温度(Max) - 225 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

额定电压 68 V 66 V

电源电压 - 28 V

额定电压(DC) 28.0 V -

漏源极电压(Vds) 28.0 V -

封装 NI-780S NI-780S

工作温度 - -65℃ ~ 225℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99